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        mos管怎么測試好壞

        用萬能表檢測mos管好壞的方法:

        將萬用表兩個表筆分別搭接在其他兩個極:給B極與任意一個極接一個10千歐姆電阻 ,電阻先不要接上 ,把表筆分別放在兩級,電阻這時再接觸,指針擺動越大證明該管拆兆敗子放大系數就越大 ,也就是說該管子就越好,反之越差。

        接電阻的那一端為C極;若是紅表筆為P管,黑表筆旅顫為N管 。凡是不符合以上測量數據的三極管都是壞的 。

        萬用表的相關要求規定:

        1、指針表讀取精度較差 ,但指針擺動的過程比較直觀,其擺動速度幅度有時也能比較客觀地反映了被測量的大?。ū热鐪y電視機數據總線(SDL)在傳送數據時的輕微抖動);數字表讀數直觀,但數字變化的過程看起來很雜亂 ,不太容易觀猜絕看。

        2 、數字萬用表的準確度是測量結果中系統誤差與隨機誤差的綜合。它表示測量值與真值的一致程度,也反映測量誤差的大小 。一般講準確度愈高,測量誤差就愈小 ,反之亦然。

        3 、指針表內一般有兩塊電池,一塊低電壓的1.5V,一塊是高電壓的9V或15V,其黑表筆相對紅表筆來說是正端。數字表則常用一塊6V或9V的電池 。在電阻檔,指針表的表筆輸出電流相對數字表來說要大很多 ,用R×1Ω檔可以使揚聲器發出響亮的“噠 ”聲 ,用R×10kΩ檔甚至可以點亮發光二極管。

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        MOS管的好壞如何判斷

        用萬用表R×1k檔或R×10k檔,測量場效應管任意兩腳之間的正、反向電阻值。正常時,除漏極與源極的正向電阻值較小外 ,其余各引腳之間(G與D、G與S)的正 、反向電阻值均應為無窮大 。若測得某兩極之間的電阻值接昌晌近0Ω,則說明該管已擊穿損壞。

        另外,還可以用觸發柵極(P溝橋好道場效應晶敏迅鉛體管用紅表筆觸發 ,N溝道場效應管用黑表筆觸發)的方法來判斷場應管是否損壞。若觸發有效(觸發柵極G后,D、S極之間的正、反向電阻均變為0),則可確定該管性能良好 。

        MOS管用數字萬用表怎么測其好壞及引腳?

        用數字萬用表測量MOS管好壞及引腳的方法:以N溝道MOS場效應管為例。

        一 、先確定MOS管的引腳:

        1、先對MOS管放電 ,將三個腳短路即可;

        1、首先找出場效應管的D極(漏極)。對于TO-252 、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場效應管,它們的散熱片在內部是與管子的D極相連的,故我們可用數字萬用表的二極管檔測量管子的各個引腳 ,哪個引腳與散熱片相連,哪個引腳就是D極 。

        2、找到D極后,將萬用表調至二極管檔;

        3、用黑表筆接觸管子的D極 ,用紅表筆分別接觸管子的另外兩個引腳 。若接觸到某個引腳時 ,萬用表顯示的讀數為一個硅二極管的正向壓降,那么該引腳即為S極(源極),剩下的那個引腳即為G極(柵極)。

        二 、MOS管好壞的測量:

        1、當把紅表筆放在S極上 ,黑表筆放在D極上,可以測出來這個導通壓降,一般在0.5V左右為正常;

        2、G腳測量 ,需要先對G極充下電,把紅表筆放在G極,黑表筆放在S極;

        3 、再次把紅表檔行純筆放在S極上 ,黑表筆放在D極上,可以測出來這個放大壓降,一般在0.3V左右為正常;

        擴展資料

        MOS管的主要參數

        1 、開啟電壓VT

        開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓;

        標準的N溝道MOS管 ,VT約為3~6V;通過工藝上的改進,可以使MOS管的VT值降到2~3V。

        2、直流輸入電阻RAH

        即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

        這一特性有時以流過柵極的柵流表示

        MOS管的RAH 可以很容易地超過1010Ω 。

        3.、漏源擊穿電壓BVDS

        在VAH =0(增強型)的條件下,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

        ID劇增的原因有下列兩個方面:

        (1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿;

        (2)漏源極間的穿通擊穿;

        有些MOS管中 ,其溝道長度較短 ,不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區,使溝道長度為零,即產生漏源間的穿通 ,穿通后,源區中的多數載流子,將直接受耗盡層電場的吸引 ,到達漏區,產生大的ID。

        4 、柵源擊穿電壓BVAH

        在增加柵源電壓過程中,使柵極電流IG由零開始劇增時的VAH  ,稱為柵源擊穿電壓BVAH 。

        5、低頻跨導gm

        在VDS為某一固定數值的條件下,漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導;

        gm反映了柵源電行咐壓對漏極電流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一個重要參數

        一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內

        6、導通電阻RON

        導通電阻RON說明帶姿了VDS對ID的影響 ,是漏極特性某一點切線的斜率的倒數

        在飽和區,ID幾乎不隨VDS改變,RON的數值很大 ,一般在幾十千歐到幾百千歐之間

        由于在數字電路中 ,MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下,所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似

        ·對一般的MOS管而言,RON的數值在幾百歐以內

        7 、極間電容

        三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

        CAH 和CGD約為1~3pF ,CDS約在0.1~1pF之間

        8、低頻噪聲系數NF

        噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的 ?!び捎谒拇嬖?,就使一個放大器即便在沒有信號輸人時,在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化

        噪聲性能的大小通常用噪聲系數NF來表示 ,它的單位為分貝(dB)。這個數值越小,代表管子所產生的噪聲越小

        低頻噪聲系數是在低頻范圍內測出的噪聲系數

        場效應管的噪聲系數約為幾個分貝,它比雙極性三極管的要小

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        客戶評論

        1. 鞏高峰
          2023-04-17 03:10:56 留言:
          黑表筆放在D極上,可以測出來這個放大壓降,一般在0.3V左右為正常;擴展資料MOS管的主要參數1、開啟電壓VT開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓;標準的N溝道MOS管,VT約為3~6V;通過工藝上的改進,可以使MOS管的VT值降到2~3V。2、直流輸

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